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隨著 AI 服務器與高性能電源對功率密度的極致榨取，氮化鎵（GaN）技術已穩站時代風口。然而，正當開發者們加速布局時，一場突如其來的“后院失火”正悄然發生。作為 GaN 系統輸出濾波與去耦的關鍵，聚合物鉭電容正因原材料成本飆升與 AI 巨頭的產能搶奪，陷入前所未有的漲價潮。

在 GaN 高頻電力轉換系統中，聚合物鉭電容展現了其近乎不可替代的物理屬性。GaN 開關頻率極高，這對電容器的 ESR（等效串聯電阻）提出了嚴苛要求，以降低紋波并減少發熱。聚合物鉭電容憑借極低的 ESR 和卓越的高溫穩定性，在兆赫茲級別的環境下表現遠超電解電容；同時，它避免了 MLCC（多層陶瓷電容）在高壓下的電容跌落（DC Bias 效應），成為了 AI 算力模塊和高端電源管理軌道的“能量守護者”。

然而，這種性能紅利正面臨嚴峻的價格挑戰。受鉭礦供應受限及全球工業需求爆發的雙重擠壓，原材料成本已逼近臨界點。行業領軍供應商 YAGEO（旗下的 KEMET）與松下已相繼發出信號，針對 2.5–10V、47–330這一 GaN 應用最為集中的特定規格，預計到 2025 年底漲幅將達到 20% 至 30%。這一規格區間正是服務器電源、B 殼封裝組件的核心，漲價不僅直接削減了硬件項目的利潤空間，更預示著未來兩年的供應緊縮。

面對這一局勢，GaN 開發者必須從“純技術驅動”轉向“供應鏈安全驅動”。技術決策者應盡早介入采購環節，針對 YAGEO 或松下等核心電容產線，通過長期合約鎖定配額，以對沖貴金屬波動的風險。在設計層面，提前驗證不同品牌的聚合物電容兼容性，也已成為規避單一供應商漲價風險的必要手段。在金屬價格定義成本的今天，只有提前鎖住關鍵電容資源的企業，才能在 GaN 賽道的競爭中守住生存的紅線。